新时空讯，2026年9月22日，AI芯片题材表现震荡，ASMPT(00522.HK)走强。截至13:43分，公司报价170.800港元，上涨2.03%。
消息面上，2026年9月21日，有关媒体报道，英特尔正与友达光电合作开发Micro LED基板先进封装技术，方向涵盖共封装光学（CPO）与高密度算力芯片整合方案。报道称，双方合作的技术支点为英特尔已取得的美国授权专利“IC Package with Micro LEDs”，其核心设计是将半导体芯片至少部分嵌入玻璃基板内，并通过贯穿玻璃通孔（TGV）与芯片建立电耦合，为Micro LED供电，从而无需额外外接元件即可实现片上发光显示、定制化光效及原位光电测试功能。报道并指出，英特尔除持续发力嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）系列技术外，还导入具备高平整度、耐高温、低热膨胀系数及低信号损耗特性的玻璃基板方案，以承接AI芯片持续提升的高密度互连需求。
此外，2026年9月21日，有关媒体报道，三星电子计划在2027年将HBM4系列产品产量至少提高一倍，涵盖第六代高带宽存储器HBM4及后续的HBM4E。据报道，三星拟将明年外包的玻璃载板清洗量由今年的月均约2万片提高至约5万片，而2025年月均仅约1万片；玻璃载板是HBM生产过程中用于支撑减薄后DRAM晶圆的临时材料，可经清洗重复使用。业内预计，三星HBM月均投片量将从今年的约18万片增至明年的约25万片，HBM4系列在其HBM出货量中的占比将由今年的约40%提升至约80%。
银河证券认为，AI算力建设持续拉动HBM需求上行，英伟达新一代Rubin Ultra平台单GPU搭载HBM容量提升至384GB，叠加AI ASIC芯片出货放量，HBM需求将迎来新一轮跃升；预计HBM投片量占DRAM总投片比重将由2025年的18%提升至2027年的30%，位元供给占比同步抬升，3D堆叠DRAM是破解内存墙的核心技术路线。财通证券认为，HBM高景气周期延续，测算2025至2028年全球HBM容量需求复合增速约55.7%，到2028年HBM供给仍维持结构性偏紧格局；AI服务器是HBM核心需求来源，单台AI服务器HBM搭载量持续增长，算力资本开支扩容将带动洁净室、晶圆制造、HBM封测及测试设备等整条产业链需求增长。
ASMPT(00522.HK)从事半导体封装设备、先进封装设备及表面贴装技术的研发与全球销售。其热压键合机（TCB）等2.5D/3D先进封装设备已供应至全球多家领先的封测厂商（OSAT）、集成器件制造商（IDM）及存储芯片制造商，用于高带宽存储器（HBM）及Chiplet架构芯片的量产。公司已披露获得来自AI算力相关客户的多次追加订单。
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